Схема блока питания на LM2577

В состав микросхемы LM2577T-AJI входит 3-амперный п-р-п выходной транзистор с граничным напряжением коллектор-эмиттер 65 В.

Краткие характеристики микросхемы LM2577T-AJI:

1. напряжение питания, В — 3,5…40
2. частота внутреннего генератора, кГц — 52
3. Микросхема имеет внутреннюю токовую и температурную защиту.

Схема электрическая принципиальная, приведенная на рис. 1, представляет собой простой индукторный преобразователь. Работает схема следующим образом. Сетевое напряжение 220 В преобразуется трансформатором Т1 в более низкое напряжение 8… 16 В. Затем оно выпрямляется диодным мостом VD1 …VD4 и сглаживается конденсатором С1. Выпрямленное напряжение поступает на вывод 5 микросхемы DA1, в результате чего запускается внутренняя схема и генератор.

Внутренний транзистор замыкает выводы 3 и 4 микросхемы DA1, в результате чего происходит накопление энергии во внешней катушке индуктивности L1, при этом диод VD5 закрыт. После того как транзистор закроется, энергия с катушки индуктивности поступит через открытый диод VD5 на конденсатор С4, который заряжается до определенного напряжения. При этом выходное напряжение, т.е. напряжение на конденсаторе, сравнивается с опорным 1,23 В, и если оно ниже, то процедура повторится в следующем такте.

Если оно больше, то длительность времени открытия транзистора уменьшится. Таким образом, на конденсаторе будет наблюдаться пилообразное напряжение амплитудой в несколько милливольт и частотой генератора. Выходное напряжение можно регулировать в широких пределах, но оно не может быть ниже входного, т.к. в этом случае откроется диод VD5 и напряжение будет поступать на выход, при этом транзистор микросхемы будет всегда закрыт. Если необходимо создать преобразователь с более низким напряжением, чем входное, то для этих целей лучше использовать обратноходовый преобразователь -рис. 2.

Работа основной части схемы не отличается от предыдущей с той лишь разницей, что энергия запасается не в дросселе L1, а в трансформаторе Т2, и после закрытия транзистора микросхемы передается во вторичную обмотку. За счет коэффициента трансформации, а в большей мере потому, что постоянное напряжение не может пройти через обмотки трансформатора, можно достичь меньшего выходного напряжения, чем входное.

При этом следует опасаться подавать на вход микросхемы напряжение выше 32 В из-за того, что выбросы на выходном транзисторе могут быть выше предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер, равного 65 В. Цепочка VD6, VD7 служит для ограничения обратного напряжения на первичной обмотке трансформатора Т2.

Микросхема с индексом -АJI рассчитана на регулируемое потребителем выходное напряжение. С индексом -12 и -15 — на фиксированное соответственно 12 В и 15 В выходное напряжение. При этом вывод 2 микросхемы необходимо без резистивного делителя подключить непосредственно к выходу. Трансформаторы Т1 в обеих схемах рассчитаны на мощность 8… 10 Вт при выходном напряжение 24 В и токе 200 мА.

Если необходимо получить широкий диапазон входного напряжения, например, от 8 до16 В по первой схеме и 8…32 В по второй, то провод вторичной обмотки необходимо выбрать сечением не менее 1 мм2. В качестве диодов VD1…VD4 в обеих схемах используются диоды КД213. При большем входном напряжении преобразователя, а также меньшей потребляемой мощностью в нагрузке возможно применение менее мощных диодов, например КД209. Все резисторы — типа МЛТ-0,125. Электролитические конденсаторы — типа К50-35 или аналогичные. Керамические конденсаторы -типа КД.

Их желательно устанавливать как можно ближе к микросхеме. Дроссель L1 намотан на феррите 4-18×11 и содержит 53 витка провода ПЭЛШО диаметром 0,4 мм. Между чашечками необходимо установить прокладку толщиной 0,2 мм. Трансформатор Т2 намотан на феррите Е20/10/6 с зазором в центральном керне 0,25 мм и содержит: обмотка I — 33 витка провода ПЭВ-2 диаметром 0,45 мм, обмотка II — 45 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,31 мм.